n型硅檢測費用

免費初檢。因檢測項目以及實驗復雜程度不同，需聯系工程師確定后進行報價。

檢測時間：一般3-10個工作日（特殊樣品除外）。有的項目可加急1.5天出報告。

n型硅檢測報告用途

報告類型：電子報告、紙質報告(中文報告、英文報告、中英文報告)。

檢測用途： 電商平臺入駐；商超賣場入駐；產品質量改進；產品認證；出口通關檢驗等

n型硅檢測報告如何辦理？檢測項目及標準有哪些？百檢第三方檢測機構，嚴格按照n型硅檢測相關標準進行測試和評估。做檢測，找百檢。我們只做真實檢測。

涉及n型硅的標準有74條。

國際標準分類中，n型硅涉及到半導體材料、集成電路、微電子學、半導體分立器件、電學、磁學、電和磁的測量、航空航天制造用材料。

在中國標準分類中，n型硅涉及到半金屬與半導體材料綜合、計算機應用、半導體集成電路、半導體分立器件綜合、微電路綜合、場效應器件、電子測量與儀器綜合、航空與航天用金屬鑄鍛材料、鍛壓、稀有輕金屬及其合金。

國家質檢總局，關于n型硅的標準

GB/T 24580-2009重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質譜檢測方法

美國國防后勤局，關于n型硅的標準

DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008半導體器件.N-通道高壓場效應硅晶體管.型號2N7387和2N7387U1,JAN,JANTX,JANTXV和JANS

DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008半導體裝置,N通道晶體管場效應耐輻射(總劑量和單粒子效應),硅型號2N7405,2N7406,2N7407和2N7408,JANSD和JANSR

DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008半導體裝置,N通道晶體管場效應耐輻射(總劑量和單粒子效應),硅型號2N7488T3,2N7489T3和2N7490T3,JANTXVR和JANSR

DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008半導體器件.N-通道場效應輻射硬化(總劑量和單事件效應)硅晶體管.型號:2N7485U3,2N7486U3和2N7487U3,JANTXVR和JANSR

DLA MIL-PRF-19500/747-2008半導體裝置,場效應耐輻射(總劑量和單粒子效應)晶體管,N通道,硅,型號2N7504T2,JANTXVR,JANTXVF,JANTXVG,JANTXVH,JANSF,JANSG,JANSR和JANSH

DLA MIL-PRF-19500/597 D VALID NOTICE 1-2008型號為2N7334,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC,JANKCA2N7334以及JANHCA2N7334的硅晶體場效應半導體設備,帶N個通道具四個三極管

DLA MIL-PRF-19500/605 C-20082N7292,2N7294,2N7296,和2N7298,JANTXVM,D,R,H 和JANSM,D和R型硅N通道耐輻射(僅總計量效應)場效應晶體管半導體裝置

DLA MIL-PRF-19500/444 L-2008半導體裝置,肖特基硅開關二極管,型號1N5711-1,1N5711UR-1,1N5711UB,1N5711UBCA,1N5711UBD,1N5711UBCC,1N5712-1,1N5712UR-1,N5712UB,1N5712UBCA,1N5712UBD,1N5712UBCC,1N6857-1,1N6857UR-1,1N6858-1和1N6858UR-1,JAN,JAN

DLA MIL-PRF-19500/463 H-2008半導體裝置,硅電流調節器二極管,型號1N5283-1到1N5314-1和1N5283UR-1到1N5314UR-1,1N7048-1到1N7055-1,1N7048UR-1到N7055UR-1,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC和JANKC

DLA SMD-5962-89445 REV A-2006硅單片可編程N分計數器高速互補型金屬氧化物半導體數字微電路

DLA SMD-5962-85152 REV F-2006硅單塊 256KX1動態隨機存取存儲器N溝道金屬氧化物半導體,數字主儲存器微型電路

DLA MIL-PRF-19500/739-2006場效應抗輻射半導體裝置(總劑量和單粒子效應),N型通道和P型通道硅四晶體管,類型2N7518和2N7518U,JANTXVR,F和JANSR,F

DLA SMD-5962-87593 REV C-2006硅單塊 256 X8比特隨機存取存儲器,N溝道金屬氧化物半導體,數字主存儲器微型電路

DLA SMD-5962-87518 REV D-2005硅單塊 可編程序中斷控制器N溝道金屬氧化物半導體,數字微型電路

DLA SMD-5962-87597 REV B-2005硅單塊 N溝道金屬氧化物半導體,萬能中斷控制器微型電路

DLA SMD-5962-85517 REV A-2005硅單塊門 N溝道計數器或計時器和平行輸入輸出單位,數字微型電路

DLA SMD-5962-80003 REV G-2005硅單片6比特N溝道單片微處理器,數字微型電路

DLA SMD-5962-79010 REV G-2005硅單片單片8比特N溝道微處理器,數字微型電路

DLA SMD-5962-87575 REV B-2005硅單塊 多模式直接存儲器存取控制器,N溝道金屬氧化物半導體,數字微型電路

DLA MIL-PRF-19500/606 B-20042N7291,2N7293,2N7295和2N7297,JANTXVM(D和R)以及JANSM(D和R)型硅N型通道場效應抗輻射加固(僅總劑量)晶體管半導體裝置

DLA SMD-5962-86809 REV C-2004硅單塊 16比特微控制器N溝道金屬氧化物半導體數字微型電路

DLA DSCC-DWG-03021-2003TX和TXV型1N5597,1N56001,N5603,高電壓整流模塊,整流硅二極管半導體器件

DLA SMD-5962-99617 REV B-2002微型電路,線型,輻射加固,全橋式N通道FET驅動器,單塊硅

DLA SMD-5962-87592 REV B-2000硅單塊 1K X4高速靜態隨機存取存儲器,N溝道金屬氧化物半導體,數字主存儲器微型電路

DLA MIL-PRF-19500/569 NOTICE 2-1999JANTX,JANTXV和JANS2N6966,2N696,2N6968和2N6969型硅制N型通道場效應晶體管半導體裝置

DLA SMD-5962-86081 REV B-1996硅單塊 4096X4比特靜態隨機存取存儲器,N溝道金屬氧化物半導體,數字微型電路

DLA SMD-5962-38480-1993硅單片8比特微型信息處理器,N溝道數字微型電路

DLA SMD-5962-82021 REV F-1992硅單片16比特N溝道微處理器微型電路

DLA SMD-5962-87519 REV A-1991硅單塊 通用接口總線控制器N溝道金屬氧化物半導體,數字微型電路

DLA SMD-5962-84053 REV B-1989硅單片,信號處理器N溝道數字微型電路

DLA SMD-5962-83015 REV D-1989硅單片雙串聯輸入/輸出控制器,N溝道數字微型電路

DLA SMD-5962-83016 REV D-1989硅單片計數器/計時器組,N溝道數字微型電路

DLA SMD-5962-86830 REV A-1989硅單塊 N溝道金屬氧化物半導體8X8比特電壓消除式可程序化只讀存儲器,數字微型電路

DLA SMD-5962-88624-1988硅單片TTL兼容可編程N計數器高速互補型金屬氧化物半導體數字微電路

DLA SMD-5962-87676 REV A-1988硅單塊 64K X4動態隨機存取存儲器N溝道金屬氧化物半導體,數字微型電路

DLA SMD-5962-88506-1988硅單片N通道MOS多功能周邊微電路

DLA SMD-5962-87526 REV A-1988時鐘發生器和控制器單塊N溝道硅口微型電路

DLA SMD-5962-87649-1988硅單塊 N 溝道金屬氧化物半導體電壓消除式可程序化只讀存儲器,32K X 8數字微型電路

DLA SMD-5962-86810 REV A-1988硅單塊 N溝道金屬氧化物半導體,雙萬能系列交流控制器數字微型電路

DLA SMD-5962-84186 REV C-1988硅單片并聯輸入/輸出,N溝道數字微型電路

DLA SMD-5962-85149 REV A-1988硅單塊 總線控制其N溝道金屬氧化物半導體,微型電路

DLA SMD-5962-85148 REV A-1987硅單塊微型電路,N溝道16比特微處理器

DLA SMD-5962-87527-1987系列交流控制器單塊N溝道硅口微型電路

DLA SMD-5962-87685-1987硅單塊 N溝道金屬氧化物半導體,8比特微處理器芯片,微型電路

DLA SMD-5962-77002 REV B-1978硅柵微型電路8比特N溝道單片微處理器

國際卡車和發動機公司，關于n型硅的標準

INTERN TMS 6018-2000空心管,冷卻劑硅已被CEMS D30,等級2C所代替,2B,修改件N

行業標準-電子，關于n型硅的標準

SJ 50033/122-1997半導體分立器件.CS3684～CS3687型硅N溝道結型場效應晶體管詳細規范

SJ 50033/121-1997半導體分立器件.CS3458～CS3460型硅N溝道結型場效應晶體管詳細規范

SJ 50033/85-1995半導體分立器件.CS141型硅N溝道MOS耗盡型場效應晶體管詳細規范

SJ 50033/87-1995半導體分立器件.CS4091～CS4093型硅N溝道耗盡型場效應晶體管詳細規范

SJ 50033/84-1995半導體分立器件.CS140型硅N溝道MOS耗盡型場效應晶體管.詳細規范

SJ 50033/89-1995半導體分立器件.CS6768和CS6770型硅N溝道增強型場效應晶體管詳細規范

SJ 50033/88-1995半導體分立器件.CS6760和CS6762型硅N溝道增強型場效應晶體管詳細規范

SJ 50033/38-1994半導體分立器件.CS4856～CS4861型硅N溝道耗盡型場效應晶體管詳細規范

SJ 20061-1992半導體分立器件.CS146型硅N溝道耗盡型場效應晶體管.詳細規范

SJ 20012-1992半導體分立器件GP、GT和GCT級CS4型硅N溝道耗盡型場效應晶體管.詳細規范

SJ 20013-1992半導體分立器件GP、GT和GCT級CS10型硅N溝道耗盡型場效應晶體管.詳細規范

SJ 20011-1992半導體分立器件GP、GT和GCT級CS1型硅N溝道耗盡型場效應晶體管.詳細規范

，關于n型硅的標準

JUS L.F2.012-1995工業加工溫度測量．熱電偶平臺．熱電偶N：鎳；鉻；硅鎳；硅

英國標準學會，關于n型硅的標準

TA 47-1973鈦鋁鉬錫硅合金鍛坯規范(抗拉強度1050-1220N/mm2)(極限等圓截面100mm)

TA 45-1973機加工用鈦鋁鉬錫硅合金棒材和型材規范(抗拉強度1100-1280N/mm2)(極限等圓截面25mm)

TA 46-1973機加工用鈦鋁鉬錫硅合金棒材和型材規范(抗拉強度1050-1220N/mm2)(極限等圓截面25mm以上100mm以下(含100mm))

BS TA 51-1973鈦鋁鉬錫硅合金鍛件規范(抗拉強度1000-1200 N/mm<上標2>)(限定等圓斷面100mm以上150mm以下(含150mm))

BS TA 50-1973鈦鋁鉬錫硅合金鍛坯規范(抗拉強度1000-1200 N/mm<上標2>)(限定等圓斷面100mm以上150mm以下(含150mm))

BS TA 45-1973機加工用鈦鋁鉬錫硅合金棒材和型材規范(抗拉強度1100-1280 N/mm<上標2>)(限定等圓斷面25mm)

BS TA 49-1973鈦鋁鉬錫硅合金棒材和型材規范(抗拉強度1000-1200 N/mm<上標2>)(極限等圓截面100mm以上150mm以下(含150mm))

TA 50-1973鈦鋁鉬錫硅合金鍛坯規范(抗拉強度1000-1200N/mm2)(極限等圓截面100mm以上150mm以下(含150mm))

TA 49-1973鈦鋁鉬錫硅合金棒材和型材規范(抗拉強度1000-1200N/mm2)(極限等圓截面100mm以上150mm以下(含150mm))

BS TA 47-1973鈦鋁鉬錫硅合金鍛坯規范(抗拉強度1050-1220 N/mm<上標2>)(限定等圓斷面100mm)

TA 51-1973鈦鋁鉬錫硅合金鍛件規范(抗拉強度1000-1200N/mm2)(極限計量等圓100mm以上150mm以下(含150mm))

TA 48-1973鈦鋁鉬錫硅合金鍛件規范(抗拉強度1050-1200N/mm2)(極限等圓截面100mm)

BS TA 46-1973機加工用鈦鋁鉬錫硅合金棒材和型材規范(抗拉強度1050-1220 N/mm<上標2>)(限定等圓斷面25mm以上100mm以下(含100mm))

BS TA 48-1973鈦鋁鉬錫硅合金鍛件規范(抗拉強度1050-1200 N/mm<上標2>)(限定等圓斷面100mm)

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